详细参数
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| 其他介绍 |
分辨率:5nm（SE,30kV）,8nm（BSE,30kV） 电压:1-30kv（1/5/10/15/20/30） 探测器:SE（Secondary Electron）二次电子,BSE（Back scattered Electron）背散射电子 电子枪:Tungsten Filament（cartridge）钨灯丝 光阑:3050100200um (Variable type) 4级可变光阑调节 扫描图片像素:320×240,640×480,1280×960,2560×1920,5120×3840 真空模式:High Vacuum高真空系统 (Low Vacuum低真空系统可选) 真空时间:180sec(抽真空),70sec(卸真空) 能谱系统:EDAX(element),电子显微镜,样品台尺寸:X:40mm,Y:40mm,R:360?,Z:0-35m,T:0-45?/5-axisxX,Y,R,Z-4侧自动/T-1侧手动 样品尺寸:80*35mm |
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